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Energie & Management > Photovoltaik - Solarwafer-Produktion entsteht in Bitterfeld
Quelle: Fotolia / nt
Photovoltaik

Solarwafer-Produktion entsteht in Bitterfeld

Die "NexWafe GmbH" investiert 30 Millionen Euro in den Bau ihrer ersten kommerziellen Anlage zur Herstellung von Solarwafern in Bitterfeld. Es kommt ein neues Verfahren zum Einsatz.
Die Nexwafe GmbH hat 30 Millionen Euro für den Bau einer Solarwafer-Produktionsanlage in Bitterfeld (Sachsen-Anhalt) erhalten, teilte das Start-up mit. Die Mittel stammen von Nexwafes Investorengruppe, darunter Reliance New Energy Limited, Aramco Ventures, Athos Venture GmbH sowie Keshik Capital. Nexwafe plant eine weitere Finanzierungsrunde in der zweiten Jahreshälfte.

Die Fabrik soll im Chemiepark Bitterfeld-Wolfen enstehen. In Kürze sollen die ersten Erdarbeiten dazu beginnen, sagte Frank Siebke, bei Nexwafe verantwortlich für die strategische Geschäftsentwicklung, der Mitteldeutschen Zeitung. Das junge Unternehmen wollte ursprünglich bereits 2020 so weit sein. Aber die ersten Wafer-Prototypen seien nicht so ausgereift gewesen wie anfangs gehofft, sagte Siebke. Nun soll in der ersten Jahreshälfte 2025 die Produktion mit bis zu 100 Beschäftigten starten.

Parallel dazu habe Nexwafe mit Aramco Ventures vereinbart, gemeinsam an einer künftigen Produktionsanlage für Solarwafer im Königreich Saudi-Arabien zu arbeiten. Hierfür sieht die Kooperationsvereinbarung eine Beteiligung des 1,5 Milliarden Dollar schweren Nachhaltigkeitsfonds des Unternehmens vor.

Nexwafe will neuartige "grüne" Wafer für den Markt produzieren. Klassischerweise werden Wafer hergestellt, indem ein großer Block ("Ingot") eines Halbleiterkristalls gezüchtet und anschließend in hauchdünne Scheiben gesägt wird. Allerdings geht beim vorherrschenden Prozess des Drahtsägens viel Material verloren und der Wafer kann dabei nicht beliebig dünn produziert werden.

Mit dem von Nexwafe entwickelten Wafer-Verfahren wird stattdessen eine Siliziumverbindung verdampft, die sich dann bei etwa 1.300 Grad Celsius als kristalline Siliziumschicht direkt auf einem sogenannten Saat-Wafer abscheidet und dann dank einer Trennschicht abgelöst werden kann. Mit dieser neuartigen Technologie lassen sich Wafer in sehr geringer Stärke zu einem Bruchteil des bisher notwendigen Energie- und Materialaufwands herstellen.

Nexwafe wurde im Jahr 2015 aus dem Fraunhofer-Institut für Solare Energiesysteme ISE in Freiburg ausgegründet. Für das entwickelte Verfahren hat Nexwafe 2021 den Fraunhofer Gründerpreis erhalten. 

Donnerstag, 1.06.2023, 12:24 Uhr
Heidi Roider
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Solarwafer-Produktion entsteht in Bitterfeld
Die "NexWafe GmbH" investiert 30 Millionen Euro in den Bau ihrer ersten kommerziellen Anlage zur Herstellung von Solarwafern in Bitterfeld. Es kommt ein neues Verfahren zum Einsatz.
Die Nexwafe GmbH hat 30 Millionen Euro für den Bau einer Solarwafer-Produktionsanlage in Bitterfeld (Sachsen-Anhalt) erhalten, teilte das Start-up mit. Die Mittel stammen von Nexwafes Investorengruppe, darunter Reliance New Energy Limited, Aramco Ventures, Athos Venture GmbH sowie Keshik Capital. Nexwafe plant eine weitere Finanzierungsrunde in der zweiten Jahreshälfte.

Die Fabrik soll im Chemiepark Bitterfeld-Wolfen enstehen. In Kürze sollen die ersten Erdarbeiten dazu beginnen, sagte Frank Siebke, bei Nexwafe verantwortlich für die strategische Geschäftsentwicklung, der Mitteldeutschen Zeitung. Das junge Unternehmen wollte ursprünglich bereits 2020 so weit sein. Aber die ersten Wafer-Prototypen seien nicht so ausgereift gewesen wie anfangs gehofft, sagte Siebke. Nun soll in der ersten Jahreshälfte 2025 die Produktion mit bis zu 100 Beschäftigten starten.

Parallel dazu habe Nexwafe mit Aramco Ventures vereinbart, gemeinsam an einer künftigen Produktionsanlage für Solarwafer im Königreich Saudi-Arabien zu arbeiten. Hierfür sieht die Kooperationsvereinbarung eine Beteiligung des 1,5 Milliarden Dollar schweren Nachhaltigkeitsfonds des Unternehmens vor.

Nexwafe will neuartige "grüne" Wafer für den Markt produzieren. Klassischerweise werden Wafer hergestellt, indem ein großer Block ("Ingot") eines Halbleiterkristalls gezüchtet und anschließend in hauchdünne Scheiben gesägt wird. Allerdings geht beim vorherrschenden Prozess des Drahtsägens viel Material verloren und der Wafer kann dabei nicht beliebig dünn produziert werden.

Mit dem von Nexwafe entwickelten Wafer-Verfahren wird stattdessen eine Siliziumverbindung verdampft, die sich dann bei etwa 1.300 Grad Celsius als kristalline Siliziumschicht direkt auf einem sogenannten Saat-Wafer abscheidet und dann dank einer Trennschicht abgelöst werden kann. Mit dieser neuartigen Technologie lassen sich Wafer in sehr geringer Stärke zu einem Bruchteil des bisher notwendigen Energie- und Materialaufwands herstellen.

Nexwafe wurde im Jahr 2015 aus dem Fraunhofer-Institut für Solare Energiesysteme ISE in Freiburg ausgegründet. Für das entwickelte Verfahren hat Nexwafe 2021 den Fraunhofer Gründerpreis erhalten. 

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